近日，
三星发布了容量最高高达64G的CF卡，这是第一款使用了40纳米技术的记忆体设备。
这种64G的超高容量CF卡，采用的是新的32Gigabit (Gb) 闪存芯片组合，以及是革命性的CTF架构（Charge Trap Flash）这种架构具有比传统的Floating Gate架构有这更多的优点，比如无冲突，更精简、更高可测量性等的优点。
三星方面称，64Gbyte的闪存卡，可以记录超过64小时的DVD分辨率电影（大概40部），或者16000首的MP3文件，大约1340小时。
根据Samsung的新闻稿中，新的芯片利用了 Charge Trap Flash 结构技术，大大减低了数据单元间的干扰。而这下也就又让大家想到了闪存的摩尔定律该怎样去定义的问题，Samsung倒是这样告诉大家：“40纳米制程的技术、32Gb 的 NAND 快闪芯片的出现，代表着一个新的诠释，也就是每十二个月，第七代的 NAND 芯片的单位容量（密度） 就可以有两倍的提升，这也是
三星半体事业总裁黄昌圭博士（ Dr. Chang Gyu Hwang）在 2002 年的尖端半导体电路技术国际会议（ISSCC 2002）演说所提及的。
当然这种64G的超高容量CF卡应用在数码相机上也很不错，不过我们期待，如果将其应用在笔记本电脑上，将会极有潜力。
